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专利号 2019111855519 申请日 2019-11-27 专利名称 三轴磁场传感器及其制造方法
授权日 2022-06-24 专利权人 北京航空航天大学青岛研究院 发明人 曹志强;邹泉波;冷群文;王乐知;杨怀文;赵巍胜
主分类号 G01R33/09 关键词 应用领域
摘要 本说明书公开了三轴磁场传感器及其制造方法。该三轴磁场传感器包括:平行于XY平面的衬底;衬底沿Z轴方向设有凹槽;第一敏感单元和第二敏感单元,分别设置在相对的两个所述侧壁上;第一敏感单元的两个磁敏电阻和第二敏感单元的两个磁敏电阻的钉扎方向朝向所述凹槽的底部、平行于其所在的侧壁并且垂直于Y轴方向;第三敏感单元和第四敏感单元,分别设置在相对的另外两个所述侧壁上;第三敏感单元的两个磁敏电阻和第四敏感单元的两个磁敏电阻的钉扎方向朝向所述凹槽的底部、平行于其所在的侧壁并且垂直于X轴方向;以及设置衬底上的第一固定电阻和第二固定电阻。
创新点
技术分类 标 签 战兴产业 高端装备制造    智能制造装备产业
运营方式 合作方式
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【关 闭】