| 专利号 | 2023103434961 | 申请日 | 2023-04-03 | 专利名称 | 一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法 |
| 授权日 | 2023-09-15 | 专利权人 | 山东理工大学 | 发明人 | 任路超;张明伟;吕欣原 |
| 主分类号 | C04B35/495 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本申请提供了一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法，所述低温共烧陶瓷材料包含质量百分比为80％～40％MgGa2O4和质量百分比为20％～60％的CuMoO4。由于CuMoO4具有超低的烧结温度，无需额外添加玻璃或低熔点氧化物即可实现MgGa2O4的低温烧结。此外，通过调节MgGa2O4和CuMoO4的质量百分比，可使所述低温共烧陶瓷材料的介电常数为5.6～6.9；Q×f值9000～16000GHz；谐振频率温度系数为‑65～‑42ppm/℃。所述低温共烧陶瓷材料有望成为集成电路基板、射频元器件及电子封装设备制造的关键基础材料。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
