| 专利号 | 2025104268690 | 申请日 | 2025-04-07 | 专利名称 | 一种在碳化硅衬底上外延均匀石墨烯的方法 |
| 授权日 | 2025-11-18 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 郁万成;姜晓呈;陈秀芳;胡小波;徐现刚 |
| 主分类号 | C30B1/02 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种在碳化硅衬底上外延均匀石墨烯的方法，包括如下步骤：（1）碳化硅衬底首先经过氢气刻蚀去除衬底表面的加工缺陷，形成规则的碳化硅台阶结构；（2）碳化硅衬底在氩气中进行两步退火，其中第一步退火为在1530~1630℃下保温0.5~1 h，压力保持在800~900 mbar；第二步退火为在1650~1750℃下保温0.5~1 h，压力保持在800~900 mbar。相比于常规直接加热至石墨烯生长温度，本发明通过分段控制石墨烯生长过程中的温度稳定情况，表面台阶形貌得到明显改善，成功抑制了生长过程中的不规则台阶聚并，稳定均匀的形貌更有助于整个衬底石墨烯的层数均匀性。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
