| 专利号 | 2024108322276 | 申请日 | 2024-06-26 | 专利名称 | 一种基于铝组分渐变帽层的氮化镓器件 |
| 授权日 | 2024-09-27 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 崔鹏;张铁瀛;韩吉胜;汉多科·林纳威赫;徐现刚 |
| 主分类号 | H01L29/20 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种基于铝组分渐变帽层的氮化镓器件，属于半导体器件技术领域，自下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层以及渐变帽层；在AlN插入层、AlGaN势垒层以及渐变帽层两侧、GaN沟道层上方，分别设置有源极和漏极；所述渐变帽层上方设置有栅极；所述渐变帽层为Al组分渐变帽层。本发明采用了从GaN到AlN的渐变帽层结构，通过在GaN和AlN之间引入AlGaN渐变层，逐步改变铝组分比例，不仅解决了AlN层生长中的开裂和晶格失配问题，还显著提高了HEMT器件的击穿电压，为高压应用提供了更可靠的半导体器件。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
