| 专利号 | 2018112764669 | 申请日 | 2018-10-30 | 专利名称 | 一种钴修饰氮掺杂石墨烯纳米带的制备方法 |
| 授权日 | 2021-11-23 | 专利权人 | 济南大学 | 发明人 | 原长洲;谭可;刘洋;侯林瑞 |
| 主分类号 | C01B32/184 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明属于纳米功能材料的制备技术领域，特别涉及一种钴修饰氮掺杂石墨烯纳米带的制备方法，采用以下步骤：首先将钴盐溶解在去离子水中，再加入双氰胺，加热搅拌至双氰胺溶解，并一直持续至水分蒸发后得到胶状前驱体；对前驱体进行热处理得到钴填充氮掺杂多壁碳纳米管；将此钴填充氮掺杂多壁碳纳米管浸泡在氢氧化钾溶液中进行开壁，开壁结束后进行抽滤，并用去离子水清洗，最后烘干即可得到钴修饰氮掺杂石墨烯纳米带。本发明利用低温开壁法制备出钴修饰氮掺杂石墨烯纳米带，与现有利用强酸或是强氧化物来制备石墨烯纳米带的技术相比，这种方法成本较低，并且制备过程对设备要求低、环保、安全、易于操作，有利于实现工业化大规模生产。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
