| 专利号 | 2023115767481 | 申请日 | 2023-11-24 | 专利名称 | 一种版图结构、半导体器件和其制造方法 |
| 授权日 | 2024-03-08 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 汉多科·林纳威赫;陈曦冉;韩吉胜;崔鹏;徐现刚 |
| 主分类号 | H01L29/78 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种版图结构、半导体器件和其制造方法，属于半导体器件技术领域，传统沟槽MOSFET承受高击穿电压的可靠性低，本发明在传统沟槽MOSFET器件结构之上进行改进，栅极氧化层和沟槽MPS的角落都被包裹在高掺杂浓度的p型半导体区域内，从而减小氧化层角落处的电场强度。沟槽底部为较低掺杂的p型区域，使反向大电流下MPS的pn结更容易导通，嵌入沟槽MPS可以有效减少双极退化效应，并且沟槽MPS的肖特基接触面积大，开启电压更小。本发明采用再生长技术，实现了p型区域的深度嵌入，相比于高能量离子注入，使用再生长技术能够大幅降低制造成本，减小技术难度。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
