| 专利号 | 2021105863534 | 申请日 | 2021-05-27 | 专利名称 | 原位生长莫来石晶须增强碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法 |
| 授权日 | 2023-05-16 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 张景德;李子禾;常籽萱;韩桂芳 |
| 主分类号 | C04B35/565 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本公开提供了一种原位生长莫来石晶须增强碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，包括步骤：步骤一，将基体原料加入球磨罐中，再加入分散剂水溶液、球磨介质，进行一次磨球，再加入粘结剂溶液，继续二次球磨，得到浆料，其中，所述基体原料为碳化硅粉体、氢氧化铝粉体、金属氧化物粉体和氟化物粉体；步骤二，将步骤一得到的浆料干燥脱水，得到固体物；步骤三，将步骤二得到的固体物造粒，然后过筛；步骤四，将步骤三得到的筛下物利用模具干压成型，得到生坯；步骤五，将步骤四得到的生坯真空干燥；步骤六，将步骤五真空干燥后的生坯在1500℃‑1550℃下进行烧结，保温2h‑4h，其能得到具有原位生长莫来石晶须增强的碳化硅陶瓷基复合材料。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
