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专利号 2020104947805 申请日 2020-06-03 专利名称 一种高亮度LED及其制备方法
授权日 2024-10-15 专利权人 山东大学 发明人 张宇;韩琳
主分类号 H01L33/40 关键词 应用领域
摘要 本发明公开了一种高亮度LED及其制备方法,包括衬底,所述衬底上依次生长有缓冲层、轻掺杂和重掺杂氮化物交替层、MQW有源层、p型半导体层,所述轻掺杂和重掺杂氮化物交替层上表面的裸露部分设有n电极,所述p型半导体层上设有p电极;所述轻掺杂和重掺杂氮化物交替层为轻掺杂氮化物层和重掺杂氮化物层分别通过电化学腐蚀形成的交替堆叠的低孔洞率多孔氮化物层与高孔洞率多孔氮化物层。本发明所公开的高亮度LED及其制备方法在降低成本的同时,还能提高发光效率,可重复性高,利于实际应用。
创新点
技术分类 标 签 战兴产业 新一代信息技术    电子核心产业
运营方式 合作方式
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