| 专利号 | 2021111846292 | 申请日 | 2021-10-12 | 专利名称 | 一种具有阶梯屏蔽环的垂直型Ⅲ族氮化物功率半导体器件及其制备方法 |
| 授权日 | 2023-10-20 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 刘超;王珩 |
| 主分类号 | H01L29/06 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有阶梯屏蔽环的垂直型Ⅲ族氮化物功率半导体器件及其制备方法，由下自上依次包括阴极电极、重掺杂N型氮化物衬底区、轻掺杂N型氮化物漂移区、重掺杂P型氮化物区、阳极电极，在所述轻掺杂N型氮化物漂移区中重掺杂P型氮化物区下方嵌入有轻掺杂P型氮化物屏蔽环；通过大量仿真计算分析得知，在轻掺杂N型氮化物漂移区嵌入有轻掺杂P型氮化物屏蔽环，可以在保持器件尺寸不变的前提下，大幅度提高器件的反向耐压能力，同时反向漏电也得到了进一步的降低，使器件应用在更高电压场景下成为可能。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
