| 专利号 | 2023104305510 | 申请日 | 2023-04-18 | 专利名称 | 一种确定GaN晶体管纳米尺寸栅长二维电子气面密度的方法 |
| 授权日 | 2024-01-30 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 崔鹏;陈思衡;钟宇;李汉和;徐明升;崔潆心;李树强;韩吉胜;徐现刚 |
| 主分类号 | G01R31/26 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种确定GaN晶体管纳米尺寸栅长二维电子气面密度的方法，包括：1)在固定漏端偏压下，测试得到不同栅偏压下GaN基HEMT的S参数；2)计算不同栅偏压下GaN基HEMT的栅电容Cg；3)根据不同栅长下的栅电容Cg，得到寄生电容Cext和栅本征电容Cint；再通过对栅本征电容Cint随栅偏压的变化曲线进行积分，进而得到栅下二维电子气电子面密度。该方法基于不同栅长下电容值，将栅电容中边缘效应产生的电容和栅下电容进行了分别进行了提取，有效提取出栅下电容和电子浓度；具有简单，直接，低成本，有效，可操作性强等优点。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新能源产业 生物质能及其他新能源产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
