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专利号 2017101098496 申请日 2017-02-28 专利名称 一种在陶瓷管上原位生长分级结构二硫化钼纳米花球的方法
授权日 2021-12-28 专利权人 济南大学 发明人 徐红燕;李文儒;于焕芹;翟婷
主分类号 C30B29/46 关键词 应用领域
摘要 本发明涉及一种在陶瓷管上原位生长分级结构二硫化钼纳米花球的方法,属于纳米传感器的制备技术领域。本发明的方法包括以下步骤:一、在氧化铝陶瓷管上制备二硫化钼籽晶层;二、将覆盖有二硫化钼籽晶层的氧化铝陶瓷管置于二硫化钼生长溶液,120℃以上恒温水热生长12‑36 h,即可;所述二硫化钼生长溶液由钼酸钠、硫脲、柠檬酸和去离子水组成,其中,钼酸钠、硫脲的摩尔比为1:4‑5。本发明首次公开了在陶瓷管上原位生长分级结构二硫化钼纳米花球的方法;本发明的方法,无需先制备出二硫化钼粉末,而是直接在衬底上生长出呈花球状结构的二硫化钼;无需涂覆、步骤简单、耗时短。
创新点
技术分类 标 签 战兴产业 新材料产业    先进无机非金属材料
运营方式 合作方式
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【关 闭】