| 专利号 | 2025111892941 | 申请日 | 2025-08-25 | 专利名称 | 一种ε-Ga2O3薄膜、亚稳相氧化镓紫外探测器及其制备方法 |
| 授权日 | 2026-02-27 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 李阳;徐梦凡;岳林凯;赵馨蕊;穆文祥;贾志泰 |
| 主分类号 | C30B25/18 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明属于宽禁带半导体技术制备技术领域，公开了一种ε‑Ga2O3薄膜、亚稳相氧化镓紫外探测器及其制备方法，包括如下步骤：将洁净预处理的衬底加热至550‑610℃，并向其中通入载气和稀释气体的混合气体设定时间，外延低掺ε‑Ga2O3薄膜；生长结束后，将反应腔内温度加热至620‑700℃，外延高掺ε‑Ga2O3薄膜。双层结构与掺杂相结合，以缓解晶格失配，促进ε‑Ga2O3的形成。Ge掺杂过程中，Ge4+成功替代Ga3+导致晶格常数变小，进而缓解薄膜压应力，使得ε‑Ga2O3外延膜的晶体质量有所提升。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
