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专利号 201811128627X 申请日 2018-09-27 专利名称 一种基于SiGe工艺的太赫兹全360°反射型移相器
授权日 2023-07-14 专利权人 天津大学青岛海洋技术研究院 发明人 马建国;李旭光;周绍华;赵升;杨自凯;杨闯;张蕾;李昭
主分类号 H03H11/16 关键词 应用领域
摘要 一种基于SiGe工艺的太赫兹全360°反射型移相器,通过对反射型移相器结构的调整,提升反射型移相器的插入损耗和移相范围性能,获得功耗、插入损耗均衡的全360°移相范围的反射型移相器,此结构移相器可以应用于毫米波/太赫兹相控阵系统中。
创新点
技术分类 标 签 战兴产业 新一代信息技术    电子核心产业
运营方式 合作方式
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【关 闭】