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专利号 2023116628791 申请日 2023-12-06 专利名称 一种原位双相共生高熵陶瓷及其制备方法
授权日 2024-02-02 专利权人 山东理工大学 发明人 任路超;邵鹏超;吕欣原;陈志浩;郎兆丁;张明伟
主分类号 C04B35/495 关键词 应用领域
摘要 本申请提供了一种原位双相共生高熵陶瓷及其制备方法,所述原位双相共生高熵陶瓷的化学式为(Na0.2Bi0.2Ca0.2Sr0.2Ba0.2)WO4,以Bi2O3、Na2CO3、CaCO3、SrCO3、BaCO3、WO3为原料,原位生成BaWO4与Na0.5Bi0.5WO4双相共生的白钨矿陶瓷。由于离子半径差异较大,离子扩散产生晶格畸变提升烧结活性,进而实现AWO4型白钨矿陶瓷的低温烧结(<1000℃)以满足低温共烧陶瓷技术的应用。所述原位双相共生高熵陶瓷的介电常数为11.5~14.4,Q×f值为28600~33110GHz,频率温度系数为‑48~‑32ppm/℃,有望成为射频元器件及半导体封装技术的关键基础材料。
创新点
技术分类 标 签 战兴产业 新材料产业    先进无机非金属材料
运营方式 合作方式
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详细说明
【关 闭】