| 专利号 | 2020111804948 | 申请日 | 2020-10-29 | 专利名称 | 一种基于放电等离子烧结的氮化硅/碳化钛陶瓷材料制备方法 |
| 授权日 | 2023-09-19 | 专利权人 | 齐鲁工业大学 | 发明人 | 肖光春;张帅;陈照强;许崇海;衣明东;张静婕 |
| 主分类号 | C04B35/565 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明具体涉及一种基于放电等离子烧结的氮化硅/碳化钛陶瓷材料制备方法。氮化硅基陶瓷材料具有良好的机械性能及稳定性，制备高性能的Si3N4/SiC陶瓷材料有望在工业领域获得广泛的应用。本发明提供了一种基于放电等离子烧结的Si3N4/TiC陶瓷材料制备方法，以α‑Si3N4为基体，TiC为增强相，Al2O3和Y2O3为烧结助剂，经湿法球磨混料、干燥后进行放电等离子烧结，烧结温度1650‑1750℃，保温时间20‑35min。本发明制备的Si3N4/TiC陶瓷材料具有良好的烧结致密性，陶瓷材料的抗弯强度、断裂韧性和硬度不低于700MPa，6.1MPa·m1/2，13GPa。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
