| 专利号 | 2018101818627 | 申请日 | 2018-03-06 | 专利名称 | 一种空间限域法合成二硫化钼单层纳米片的方法 |
| 授权日 | 2019-10-01 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 侯万国;王德良;李海平;杜娜 |
| 主分类号 | C01G39/06 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种空间限域法合成二硫化钼单层纳米片的方法，包括步骤：MoS42‑插层LDHs复合物的制备；将得到的MoS42‑插层LDHs复合物在惰性气体保护下煅烧，得MoS2单层纳米片/混合金属氧化物(MMO)复合物；经去除混合金属氧化物，得到MoS2单层纳米片。本发明的方法简单，成本低，易于实现，高产率，MoS2单层纳米片比率高，且易于工业化应用。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
