| 专利号 | 2019108080859 | 申请日 | 2019-08-29 | 专利名称 | 一种基于SiO2载体灵敏检测Hg2+的释放型电化学适配体传感器的构建 |
| 授权日 | 2021-07-02 | 专利权人 | 济南大学 | 发明人 | 吴丹;马宁;匡轩;王欢;任祥;魏琴 |
| 主分类号 | G01N27/327 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种基于介孔二氧化硅通过分子释放原理对Hg2+进行灵敏检测的适配体传感器的构建，属于新型传感器构建技术领域。利用二氧化硅作为载体封装甲苯胺蓝分子，特定适配体修饰的Au NPs作为封装介孔二氧化硅的分子门，从而合成了具有对Hg2+灵敏信号响应的金纳米颗粒封堵的包覆甲苯胺蓝的氨基化二氧化硅SiO2‑NH2‑DNA‑Au NPs@TB，基于特定适配体对Hg2+的特异性识别，通过电化学检测方法实现了对Hg2+的灵敏检测。本发明构建的电化学适配体传感器具有较宽的检测范围，较高的灵敏度和较低的检出限，对Hg2+的检测具有重要的意义。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 前沿新材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
