| 专利号 | 202311203164X | 申请日 | 2023-09-19 | 专利名称 | 一种低损耗双向导通IGBT结构及制备方法 |
| 授权日 | 2023-12-08 | 专利权人 | 中国海洋大学 | 发明人 | 付民;张潇风;郑冰 |
| 主分类号 | H01L29/06 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种低损耗双向导通IGBT结构及制备方法，属于半导体功率器件领域。其结构在传统场截止型IGBT结构的基础上，降低部分集电极P型区硼掺杂浓度，形成低掺杂P型阻隔区，再在P型阻隔区背部离子注入形成集电极N+区，形成包裹结构，包裹结构中央刻蚀填充形成短路集电极分裂沟槽，N型缓冲层、集电极N型区、P型阻隔区和短路集电极分裂沟槽构成双向导通NMOS结构。双向导通NMOS结构与集电极P型区由深氧沟槽隔离开，使其具有较为独立电学特性。本发明无需额外引入控制电极的前提下集成了双向导通NMOS结构，关断速度明显提升，进而降低器件导通损耗，并且极大缩小了器件横向电压回折抑制尺寸，提高了芯片集成度。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
