| 专利号 | 2025115351916 | 申请日 | 2025-10-27 | 专利名称 | 一种单畴κ-Ga2O3外延薄膜的制备方法 |
| 授权日 | 2026-01-30 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 李阳;展茜茜 |
| 主分类号 | C30B25/18 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种单畴κ‑Ga2O3外延薄膜的制备方法，包括如下步骤：对蓝宝石衬底进行C面偏m轴斜切，斜切的角度为6°~10°，形成阶梯状台阶衬底；采用湿法刻蚀的方式对斜切后的蓝宝石衬底进行刻蚀处理；清洗、氮气吹扫后在氧气氛围下进行退火处理，获得预处理后的蓝宝石衬底；通过Mist‑CVD技术在预处理后的蓝宝石衬底上沉积粗单畴κ‑Ga2O3外延薄膜，随后在氧气氛围下进行原位退火获得单畴κ‑Ga2O3外延薄膜。本发明中通过对蓝宝石衬底表面斜切方向和斜切角度的限定引导κ‑Ga2O3以特定面内取向成核，从根本上抑制了因衬底表面对称性引发的多取向成核问题。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
