| 专利号 | 202411717978X | 申请日 | 2024-11-26 | 专利名称 | 三磷化锗纳米片的制备方法及三磷化锗薄膜的应用 |
| 授权日 | 2025-09-09 | 专利权人 | 曲阜师范大学 | 发明人 | 杨兵超;陈欣;刘晓兵;孙海瑞;闫苗苗;孙秀杰 |
| 主分类号 | C01B25/08 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种三磷化锗纳米片的制备方法，属于电极材料制备技术领域。本发明包括步骤1)、将红磷粉和锗粉形成的混合粉末进行预压，得到预压体；步骤2)、将步骤1)制备的预压体，进行高温高压烧结，得到体相三磷化锗；步骤3)、将步骤2)制备的体相三磷化锗作为电极，置于电解池中；步骤4)、对步骤3)的电极施加电压或电流对三磷化锗进行插层解离；步骤5)、对步骤4)中进行电化学解离后的电解液进行离心，收集上清液得到三磷化锗纳米片。本发明利用高温高压技术结合电化学解离技术制备出大量高纯且微米级三磷化锗纳米片。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
