| 专利号 | 2023109339693 | 申请日 | 2023-07-27 | 专利名称 | 一种二硒化钯晶圆级制备方法和应用 |
| 授权日 | 2025-12-30 | 专利权人 | 济南大学 | 发明人 | 逄金波;王慧;侯崇洋;刘瑞;刘宏;周伟家 |
| 主分类号 | C23C14/30 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及的二维材料制备技术领域，尤其涉及一种二硒化钯晶圆级制备方法和应用。本发明通过流体动力学模拟管式炉内温度和气体流速，验证硒化过程中管式炉内的温度和气体流速是否均匀分布；验证硒化温度对二硒化钯薄膜合成的影响；验证前驱体厚度对二硒化钯制备的影响，比较温度和厚度对通过电子束蒸发Pd金属和后硒化合成PdSe2的质量的影响来拓宽生长参数窗口。最终制备得到高性能的二硒化钯晶圆级，并进一步将该制备方法应用与制备二硒化钯器件，构建场效应晶体管和光电探测器。可为硅工艺兼容制备圆片级高质量PdSe2二维材料提供重要参考。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进有色金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
