| 专利号 | 2020100647638 | 申请日 | 2020-01-20 | 专利名称 | 一种实验用MOSFET管和BJT管级联电压放大电路 |
| 授权日 | 2023-09-22 | 专利权人 | 山东建筑大学 | 发明人 | 罗珂;李全民;李亮 |
| 主分类号 | H03K17/16 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明的实验用MOSFET管和BJT管级联电压放大电路，包括MOSFET管Q1、BJT管Q2、偏置电位器RW1和RW2、第一和第二电源正、电源地和电源正；MOSFET管Q1的漏极经负载电阻R4接于第一电源正上，源极依次经电阻R5和电阻R6接于电源地上，栅极依次经电容E2和电阻R1接于输入信号端in上；BJT管Q2的集电极经负载电阻R10接于第二电源正上，发射极依次经交直流负反馈电阻R11、直流反馈电阻R12接于电源地上，基极经电阻R9接于偏置电位器RW2的可变电阻端。本发明的电压放大电路，调节RW1和RW2可观察MOSFET管和BJT管的单管或级联放大状态，有利于学生充分理解和掌握MOSFET管和BJT管的工作特性，有益效果显著，适于应用推广。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
