| 专利号 | 201710930227X | 申请日 | 2017-10-09 | 专利名称 | 提高AlGaN/GaN异质结场效应晶体管线性度的方法 |
| 授权日 | 2020-04-17 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 林兆军;崔鹏;吕元杰;杨铭;付晨;杨勇雄 |
| 主分类号 | H01L29/778 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 一种提高AlGaN/GaN异质结场效应晶体管线性度的方法，相对于传统的利用外部电路提高器件线性度的方法，本发明在一定程度上增大极化库仑场散射，增强其对极化光学声子散射的抵消作用，将会使得RS具有更小的改变量，从而达到提高器件线性度的最终目的，从而使其具有简单、直接、可操作性强和集成度高等特点。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
