| 专利号 | 2023117468319 | 申请日 | 2023-12-19 | 专利名称 | 一种改善短路能力的SiC MOSFET器件 |
| 授权日 | 2024-03-05 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 汉多科·林纳威赫;刘世杰;韩吉胜;崔鹏;徐现刚 |
| 主分类号 | H01L29/78 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种改善短路能力的SiC MOSFET器件，属于碳化硅（SiC）功率器件技术领域，提出了一种具有分段渐变掺杂外延结构的垂直平面SiC MOSFET器件，其漂移层自上而下分为第一漂移层、第二漂移层和第三漂移层，第一漂移层、第二漂移层和第三漂移层的掺杂浓度是各自渐变的，不同漂移层接触处具有相同的掺杂浓度。本发明的具有分段渐变掺杂外延结构的SiC MOSFET器件，利用靠近沟道区域的高掺杂降低器件工作状态下的导通电阻，通过渐变掺杂的漂移层调整器件短路时的电势分布，降低短路时的电流密度，以提高SiC MOSFET器件的短路能力。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
