| 专利号 | 2022104129020 | 申请日 | 2022-04-20 | 专利名称 | 一种铜掺杂的金属氧化物双功能层忆阻器 |
| 授权日 | 2022-08-05 | 专利权人 | 山东科技大学 | 发明人 | 李玉霞;袁方;张鹏;邓玥;于相成 |
| 主分类号 | H01L45/00 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及微电子材料与半导体器件技术领域，具体涉及一种铜掺杂的金属氧化物双功能层忆阻器。该忆阻器自下而上依次设置为衬底、底电极、第一功能层、第二功能层和顶电极；所述第一功能层和第二功能层为纳米堆叠结构薄膜材料，其中，第一功能层的材料采用HfOy薄膜，第二功能层的材料采用Cu掺杂的TiOx薄膜。本发明中第一功能层HfOy薄膜材料获取简单，易于实现，并且具有高开关比，第二功能层TiOx薄膜中掺入Cu可以加快导电细丝的生成速率，增强导电细丝的稳定性，从而增大忆阻器的开关比，进而实现双功能层提高忆阻器的稳定性、增大忆阻器的开关比，对新一代存储器的研究具有重要意义。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
