| 专利号 | 2019104942387 | 申请日 | 2019-06-09 | 专利名称 | 一种具有孪生局部有源域三次多项式磁控忆阻器的等效模拟电路 |
| 授权日 | 2023-04-18 | 专利权人 | 山东科技大学 | 发明人 | 李玉霞;常辉;宋庆海;袁方 |
| 主分类号 | G06F30/367 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了具有孪生局部有源域三次多项式磁控忆阻器的等效模拟电路，其利用模拟集成运算设计电路实现了该忆阻模型的伏安磁滞特性，属于电路设计技术领域。利用电子器件的集成运算，设计该忆阻器本征动力学。其中，设计反相比例器，实现输出电压与输入电压的比例运算，并使它们极性相反；设计反相比例加法器，实现多个输入电压的加法运算，使其和作为输出电压且成反相；设计反相积分器，实现对输入电压信号的积分运算；设计乘法电路，实现两端口输入信号的乘积运算。本发明实现了具有孪生局部有源域的三次多项式磁控忆阻器的忆阻特征指纹，可代替实际具有局部有源忆阻器实现与此类忆阻器相关系统的电路设计、实验，对理解此忆阻器的电气特性和实际应用研究具有重要的意义。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 新兴软件和新型信息技术服务 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
