| 专利号 | 2024106196654 | 申请日 | 2024-05-20 | 专利名称 | 基于能带调控结终端的氮化镓肖特基二极管及其制备方法 |
| 授权日 | 2024-08-20 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 崔鹏;王柳;韩吉胜;汉多科·林纳威赫;徐现刚 |
| 主分类号 | H01L29/872 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种基于能带调控结终端的氮化镓肖特基二极管及其制备方法。基于能带调控结终端的氮化镓肖特基二极管包括由下至上依次设置的欧姆电极、N+型GaN衬底、N‑型GaN外延层，N‑型GaN外延层上方设置P型导电的结终端，P型导电的结终端贯穿有下端深入到N‑型GaN外延层的凹槽，凹槽内设置肖特基电极，肖特基电极与N‑型GaN外延层的顶部和P型导电的结终端的顶部相接，N‑型GaN外延层、P型导电的结终端和肖特基电极的上方覆盖有具有贯通的开孔的SiO2钝化层，P型导电的结终端的材质为P‑GaN、P‑InGaN或P‑AlGaN。采用P型导电的结终端提高二极管的击穿特性。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
