| 专利号 | 2023113053114 | 申请日 | 2023-10-10 | 专利名称 | 一种新型硅酸镓镧族晶体及其电光系数优化方法和应用 |
| 授权日 | 2024-11-22 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 路大治;韩金锋;梁飞;于浩海;张怀金 |
| 主分类号 | C30B29/34 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种新型硅酸镓镧族晶体及其电光系数优化方法和应用，其优化方法为：所述硅酸镓镧族晶体结构通式为A3BC3D2O14，通过在La3Ga5SiO14晶体的BO6多面体基团中引入Zr4+离子与其Ga3+离子进行混占，调控基团电子云结构和晶格振动，生长出锆硅酸镓镧La3ZrxGa5Si1‑xO14(0＜x＜1)晶体，实现电光系数的优化。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
