| 专利号 | 2019108262931 | 申请日 | 2019-09-03 | 专利名称 | 二维层状GeP单晶纳米薄膜的制备方法及应用 |
| 授权日 | 2021-09-28 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 王善朋;陶绪堂;于童童;赵淑琪;张百涛;何京良 |
| 主分类号 | C30B29/10 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 一种二维层状GeP单晶纳米薄膜的制备方法及应用，制备步骤：(1)称取Ge、P和Bi装入石英管中并封管；(2)使Ge和P化合反应；(3)将石英管离心分离，得到GeP体块单晶；(4)GeP体块单晶置于稀盐酸中并清洗干净；(5)放入装有无水乙醇的离心管中超声处理，得到乙醇悬浊液；(6)离心处理；(7)取出上清液，用乙醇进行稀释，得到GeP纳米薄膜的稀溶液。制备的二维层状GeP单晶纳米薄膜用于饱和吸收体对激光进行被动调Q或锁模调制及制作光子或光电子器件、催化及锂电池负极材料。本发明生长了大尺寸、高质量GeP体块单晶，制备的GeP纳米薄膜为直接带隙半导体，采用单纯的GeP实现调Q和锁模激光，在1‑3μm红外宽波段获得了更高的脉冲峰值功率和脉冲能量。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
