| 专利号 | 2017106107114 | 申请日 | 2017-07-25 | 专利名称 | 在陶瓷管上原位生长MoO3纳米片的方法及气敏传感器 |
| 授权日 | 2020-07-07 | 专利权人 | 济南大学 | 发明人 | 徐红燕;于焕芹;翟婷;陈政润 |
| 主分类号 | C04B41/89 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在陶瓷管上原位生长MoO3纳米片的方法，属于纳米传感器的制备技术领域。该方法步骤为：（1）配置氧化钛籽晶层溶液；（2）配置氧化钼生长溶液：取0.1305 g的乙酰丙酮钼置于烧杯中后加入35 mL冰醋酸和2 mL去离子水，搅拌至完全溶解后转移至高压反应釜中；（3）片状结构纳米氧化钼的生长：将氧化铝陶瓷管在氧化钛籽晶层溶液中浸渍之后，于500℃煅烧2 h；水热生长。本发明的方法，无需事先制备出涂覆法所需粉末，无需手工涂覆，而是在氧化铝陶瓷管上直接生长出片状结构氧化钼。制成的传感器对三乙胺表现出较好的选择性，响应性有所提高。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
