| 专利号 | 2017112211844 | 申请日 | 2016-01-21 | 专利名称 | 一种基于纳米级单层阻变膜的忆阻器制备方法 |
| 授权日 | 2020-09-11 | 专利权人 | 山东科技大学 | 发明人 | 窦刚;郭梅 |
| 主分类号 | H01L45/00 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于纳米级单层阻变膜的忆阻器制备方法，其运用阻变膜在偏压下产生的空穴和电离氧离子为载流子，并依靠其产生量的变化，以实现器件电阻变化的原理，在现有技术的基础上，从简化工艺和改进阻变膜材料配方两方面着手：省略了阻变膜陶瓷材料的预先烧结步骤、并选用金属离子化合价更高、陶瓷烧结温度更低的原料、采用更低的煅烧温度，以使Ca2+部分对Bi3+进行A位取代，以增加阻变膜内部晶格缺陷和空穴、增大了阻变膜层分子结构的不对称性等技术手段，简化了制备工艺、提高了生产效率、降低了生产能耗和生产成本；同时大幅提升了忆阻器的忆阻性能和成品率。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
