| 专利号 | 2015100533602 | 申请日 | 2015-02-02 | 专利名称 | 一种提高物理气相传输法生长4H?SiC 晶体晶型稳定性的方法 |
| 授权日 | 2017-09-01 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 徐现刚;杨昆;胡小波;彭燕;陈秀芳;杨祥龙 |
| 主分类号 | C30B29/36 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种提高物理气相传输法生长4H‑SiC晶体晶型稳定性的方法。该方法包括：改变晶体生长体系结构或材质，促进粉料升华的气相组分与生长体系中石墨材料的反应，进而增加输运至生长界面组分的C/Si比，增加4H‑SiC晶型的稳定性，使整个生长过程中单晶保持4H晶型。使用本发明方法，4H‑SiC晶型为稳定性明显提高。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
