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专利号 2021114374880 申请日 2021-11-29 专利名称 一种Mg2+预嵌入的镁离子电池正极材料MgVS4/N-TG及应用
授权日 2023-10-10 专利权人 青岛科技大学 发明人 李镇江;丁诗琦;田雨欣;戴鑫;孟阿兰
主分类号 H01M4/136 关键词 应用领域
摘要 本发明公开了一种Mg2+预嵌入的镁离子电池正极材料MgVS4/N‑TG,属于电池材料技术领域。将偏钒酸铵制备成水溶液后再与过量的硫代乙酰胺乙二醇溶液混合,与采用气相沉积法制备的生长有N‑TG的碳片一同转移到反应釜中,180℃水热反应4h;烘干产物后用电化学方法在MgSO4溶液中进行Mg2+预嵌入,得到镁离子电池正极材料MgVS4/N‑TG。本发明通过Mg2+的预嵌入既可以扩大VS4的链间间距,还可以诱导V2+和V3+的出现,提高了镁离子电池的电化学性能。由其组装的镁离子电池,具有高比容量和优异的循环稳定性,具有广阔的应用前景。
创新点
技术分类 标 签 战兴产业 新能源汽车    新能源汽车装置、配件制造
运营方式 合作方式
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