| 专利号 | 202511767104X | 申请日 | 2025-11-28 | 专利名称 | 抗辐射SRAM单元、阵列及存算一体系统 |
| 授权日 | 2026-02-10 | 专利权人 | 中国海洋大学 | 发明人 | 刘艳;缪徐风;郑海永 |
| 主分类号 | G11C11/4074 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及静态存储技术领域，具体公开了一种抗辐射SRAM单元、阵列及存算一体系统，其通过电路与系统的协同设计实现了抗辐射能力与工程可行性的平衡。其核心采用极性加固的RHCIM‑16T单元结构，通过引入方向性导电约束，将复杂多节点翻转简化为单一“锁0”错误，从源头上降低了错误率。在此基础上，结合轻量级单错误纠正码，形成“电路简化+SEC编码”的高效容错机制。该方案通过分裂字线等设计，兼容AND、NOR等逻辑运算，确保了存算一体功能在辐射环境下的稳定执行。仿真及实验结果表明，本发明在维持较低面积与功耗开销的同时，能够显著增强辐射环境下存算阵列的鲁棒性与可扩展性。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 下一代信息网络产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
