| 专利号 | 202211312028X | 申请日 | 2022-10-25 | 专利名称 | 一种碳化硅单晶生长方法及碳化硅单晶 |
| 授权日 | 2025-03-07 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 谢雪健;王兴龙;徐现刚;陈秀芳;胡小波 |
| 主分类号 | C30B23/00 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明属于晶体生长技术领域，提供了一种碳化硅单晶生长方法及碳化硅单晶。其中，该方法包括选用设定粒径的碳化硅粉料作为碳化硅单晶生长的原料，均匀摊铺在加热容器底部，将碳化硅籽晶粘接在加热容器顶部；将加热容器放入单晶生长设备后，密封单晶生长设备，对单晶生长设备内部进行抽真空处理；对抽真空处理后的单晶生长设备的内部进行加热，向单晶生长设备内充入载气至预设生长压力，当加热至设定生长温度后，保温预设时间进行晶体生长；其中生长压力与碳化硅粉料粒度有关，粉料粒度越大，生长压力越小；当晶体生长完成后，对单晶生长设备的内部进行降温，向单晶生长设备内充入载气至预设冷却压力，自然冷却晶体，得到碳化硅单晶。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
