| 专利号 | 2023115742569 | 申请日 | 2023-11-23 | 专利名称 | 一种氧掺杂二硒化钯材料、制备方法及其在制备光电探测器中的应用 |
| 授权日 | 2024-06-28 | 专利权人 | 济南大学 | 发明人 | 逄金波;侯崇洋;刘瑞;王慧;秦燕;李梦娜;刘宏;周伟家 |
| 主分类号 | H01L31/18 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种氧掺杂二硒化钯材料的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：先通过电子束蒸发镀膜仪，在真空腔体内利用电子束加热蒸发的方式使得Pd蒸发到倒置在上方的Si/SiO2衬底上，得到钯薄膜；然后通过化学气相沉积，对钯薄膜进行硒化反应，得到二硒化钯薄膜；最后对二硒化钯薄膜进行O2plasma处理，即得所述的氧掺杂二硒化钯材料。本发明通过O2plasma注入的方式对PdSe2进行O原子掺杂，进而实现对PdSe2性能的调控；通过对O掺杂量的调控，实现基于PdSe2的场效应晶体管转移特性发生p型转变，并且这种变化具有稳定性。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新能源产业 太阳能产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
