| 专利号 | 2019100569585 | 申请日 | 2019-01-22 | 专利名称 | 一种中空四棱柱状导电聚吡咯的制备方法 |
| 授权日 | 2021-11-26 | 专利权人 | 齐鲁工业大学 | 发明人 | 李梅;盖中胜;宋存星 |
| 主分类号 | C08G73/06 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种中空四棱柱状导电聚吡咯的制备方法。其制备步骤如下：(1)将0.050～0.150g甲基橙和0.10～0.50g聚乙烯吡咯烷酮溶于150.0ml去离子水中，于三口瓶中搅拌0.5h；(2)在三口烧瓶的溶液中加入0.30～0.80ml吡咯单体后，强烈搅拌1h；(3)将一定质量的三氯化铁溶解到50.0ml去离子水中，然后在搅拌条件下向混合液中缓慢滴加氧化剂的溶液，于一定温度下反应12～24h；(4)将所得反应液进行抽滤，分别用去离子水和乙醇洗涤，固体经水洗、醇洗三次后在50℃的干燥箱中进行干燥，干燥24h后，即得聚吡咯；本发明首次用甲基橙和聚乙烯吡咯烷酮为双模板，用简单可行的化学氧化法制备了中空四棱柱状导电聚吡咯。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
