| 专利号 | 2020114139369 | 申请日 | 2020-12-07 | 专利名称 | 一种在微电子机械制造工艺中防止立体微结构侧壁底切刻蚀的方法 |
| 授权日 | 2025-01-07 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 程文雍;赵兴海 |
| 主分类号 | B81C1/00 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在微电子机械制造工艺中防止立体微结构侧壁底切刻蚀的方法，属于微电子机械系统制造技术领域，包括首先，通过LPCVD工艺在已经生成立体微结构的晶圆衬底表面沉积一层保角薄膜层作为保护层；然后，将不需要保护的区域采用干法刻蚀去除该处的保角薄膜层，并进行后续的湿法/气相腐蚀，保角薄膜层能够在已经刻蚀的立体微结构表面、侧壁、底部和任何的狭小角落形成一层致密的均匀覆盖的保护层从而防止腐蚀性物质的侵入；最后，当完成后续的湿法/气相腐蚀后，采用普通的干法刻蚀技术除去保角薄膜层。本发明保护性强、效果可靠，能够有效防止在后续的氢氟酸湿法腐蚀或气相刻蚀中底切刻蚀的发生，提高波导器件性能。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
