| 专利号 | 2021105456275 | 申请日 | 2021-05-19 | 专利名称 | 一种氮化镓功率器件及其制备方法 |
| 授权日 | 2023-01-31 | 专利权人 | 济南大学 | 发明人 | 张春伟;姚钟博;向振宇;郭海君;李阳;岳文静;高嵩;阚皞 |
| 主分类号 | H01L29/06 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种氮化镓功率器件及其制备方法，包括：半导体衬底，设置在半导体衬底上方的缓冲介质层，缓冲介质层上方设有漂移区氮化镓层；所述漂移区氮化镓层的全部区域或设定部分区域内的厚度沿器件耐压状态下低电位电极到高电位电极的方向逐渐增加，从而使衬底产生的场板效果符合电场优化需求。本发明结构中漂移区氮化镓层厚度在水平方向上沿电位升高的方向不断增大，从而增大低电位处的场板作用，降低高电位处的场板作用，从而使器件获得更好的电场调制效果，增加器件的耐压能力。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
