| 专利号 | 2016105907527 | 申请日 | 2016-07-25 | 专利名称 | 正交相二维层状SiP单晶及薄膜的制备方法及其应用 |
| 授权日 | 2018-10-16 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 王善朋;陶绪堂;李春龙;于童童 |
| 主分类号 | C30B29/10 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 一种正交相二维层状SiP单晶及薄膜的制备方法及其应用，该方法包括以下步骤：(1)称取Si、P和Sn，Sn作为金属助熔剂，然后将三种原料装入石英管中，抽真空后烧结封管；(2)将石英管放入加热炉中，采用阶段性升温程序，Si和P充分化合反应；(3)o‑SiP成核并长大后，将石英管从炉膛取出并倒置，o‑SiP单晶与金属助熔剂Sn分离；(4)打开石英管取出料块，除去附着在o‑SiP表面的Sn助熔剂，清洗干净，得到片状o‑SiP晶体；(5)将o‑SiP晶体浸没于NaOH溶液中，超声后分离出沉淀物，清洗得到较大尺寸及高质量的正交相二维层状SiP单晶纳米薄膜；可用于饱和吸收体对激光产生调制、超短脉冲激光器的被动锁模以及制作光电子器件、辐射探测器或太阳能电池。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
