| 专利号 | 202011306035X | 申请日 | 2020-11-20 | 专利名称 | 一种低压化学气相沉积生长氧化镓薄膜的方法 |
| 授权日 | 2022-04-01 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 徐明升;王帅;徐现刚;王卿璞;彭燕 |
| 主分类号 | C30B29/16 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种低压化学气相沉积生长氧化镓薄膜的方法，该方法通过低压化学气相沉积生长出氧化镓外延薄膜，然后进行原位后退火处理对薄膜进行处理；原位后退火处理，工艺操作简单，能够促进薄膜的重结晶，引起薄膜表面颗粒的重熔和凝聚，进而降低表面粗糙度；并且还能够改善界面缺陷，显著提高了Ga2O3薄膜的晶体质量。本发明的方法低压化学气相沉积(LPCVD)技术设备较为简单，生长速率较快，重复性较高，成本较低，生长出的氧化镓薄膜，透光率高，质量高。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
