| 专利号 | 2019105088079 | 申请日 | 2019-06-13 | 专利名称 | 一种氢离子浓度传感器芯片及其制备方法与应用 |
| 授权日 | 2021-10-26 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 辛倩;袁玉卓;宋爱民 |
| 主分类号 | H01L29/786 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种基于双极性SnO的氢离子浓度传感器芯片及其制备方法与应用，包括衬底、栅极、栅介质层、半导体层、源极、漏极、敏感层；衬底上生长有栅极、栅介质层，栅介质层上生长有半导体层、源极、漏极，半导体层、源极、漏极生长有敏感层。本发明基于双极性SnO的氢离子浓度检测传感器，除了可以像单一n或者p型的氢离子浓度检测传感器使用阈值电压进行检测，还可以使用直接通过测量沟道电流的方式来进行检测。大幅度减少了测试复杂度，且不再受能斯特定律限制。整个测试过程可以工作在低电压下，且具有较低的功耗，其可被广泛应用于柔性可穿戴电子中，解决了现有氢离子浓度传感器大电压，复杂度高等缺点，效果显著，适用于应用推广。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
