| 专利号 | 2024105848646 | 申请日 | 2024-05-13 | 专利名称 | 一种外延层非均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法 |
| 授权日 | 2024-08-06 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 韩吉胜;王新宇;汉多科·林那威赫;崔潆心;徐现刚 |
| 主分类号 | H01L29/872 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种外延层非均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法，其涉及器件设计技术领域。包括：4H‑SiC衬底层的上表面沉积所述N型SiC外延层，所述N型SiC外延层表面上的一侧沉积P型SiC外延层；所述P型SiC外延层包括：SiO2保护层、多个长度和间距不均等的P型梯形岛，SiO2保护层与靠近SiO2保护层的第一个P型梯形岛相连，且所述多个P型梯形岛之间首尾相连；所述N型SiC外延层表面上的另一侧沉积阳极，所述4H‑SiC衬底层的下表面沉积阴极。本发明对碳化硅（SiC）SBD器件的边缘终端进行改进，显著提高碳化硅SBD器件的反向击穿电压，优化碳化硅SBD器件的整体性能。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
