| 专利号 | 2019112715864 | 申请日 | 2019-12-12 | 专利名称 | 一种超高荧光量子产率的碳量子点、碳量子点/PVA荧光膜及其制备方法和应用 |
| 授权日 | 2022-06-10 | 专利权人 | 青岛农业大学 | 发明人 | 孙晓波;王进平;马攀攀 |
| 主分类号 | C09K11/65 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明属于发光材料技术领域，具体涉及一种碳量子点、碳量子点/PVA荧光膜及其制备方法和应用。一种超高荧光量子产率的碳量子点，所述碳量子点以罗丹明B为碳源制备而成。本发明的超高荧光量子产率的碳量子点的制备方法，包括：将罗丹明B溶于反应溶液中，混合后置于反应釜中，于180℃～200℃下反应8～12h，冷却至室温后，取出反应物；将反应物pH调节至中性，然后透析，旋蒸，冷冻干燥，即得到碳量子点的固体粉末。本发明的有益效果为：本发明提供的超高荧光量子产率的碳量子点是绿光发射，具有良好的水分散性，超高的荧光量子产率，在pH为6.7的水中为84.96～85.37%，pH为9.0时为95.84～96.55%。该碳量子点可以用于制备环境友好的封装材料，封装白光LED。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进有色金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
