| 专利号 | 2018105385009 | 申请日 | 2018-05-30 | 专利名称 | 一种预处理SiC衬底外延制备石墨烯及石墨烯器件的方法 |
| 授权日 | 2021-11-26 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 孙丽;于法鹏;刘振兴;李妍璐;程秀凤;陈秀芳;赵显 |
| 主分类号 | H01L21/02 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种预处理SiC衬底外延制备石墨烯及石墨烯器件的方法。包括步骤：将SiC衬底进行氢刻蚀，然后对氢刻蚀之后的SiC衬底进行氧化处理，温度800～1300℃，处理时间15～120min；然后于惰性气氛下，在预处理后的SiC衬底上升温至1450～1700℃进行石墨烯生长。本发明通过氧化预处理以钝化SiC表面，降低了SiC衬底外延生长石墨烯的成核密度，从而获得尺寸更大、性能更好的石墨烯材料，并在此基础上将SiC外延石墨烯晶片进行淀积、光刻、掺杂和集成程序，制备成相应的石墨烯器件。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
