| 专利号 | 201910093921X | 申请日 | 2019-01-30 | 专利名称 | 一种在n型4H/6H-SiC硅面上制备周期性石墨烯PN结的方法 |
| 授权日 | 2021-02-12 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 陈秀芳;秦笑;徐现刚;李妍璐;赵显 |
| 主分类号 | H01L31/18 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在n型4H/6H‑SiC硅面上制备周期性石墨烯PN结的方法，属于微电子材料技术领域，方法包括步骤：将偏轴4°半绝缘和正向n型的4H/6H‑SiC的硅面晶片进行化学机械抛光及化学清洗，在偏轴4°半绝缘的SiC晶片上制备n型单层石墨烯，经过剥离步骤获得n型单层石墨烯微米条带，在n型SiC衬底上制备p型单层石墨烯微米条带，将n型单层石墨烯微米条带对准后放置在p型单层石墨烯微米条带上，施加压力，并将样品放置在加热台上加热，胶带脱离后获得周期性PN结。本方法易于控制，通过精确控制生长压力、时间等，最终在n型4H/6H‑SiC衬底的Si面上获得了表面形貌均匀的高质量周期性石墨烯PN结。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新能源产业 太阳能产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
