| 专利号 | 2021113260331 | 申请日 | 2021-11-10 | 专利名称 | 金刚石在碳化硅衬底上成核密度周期性调制方法 |
| 授权日 | 2023-08-04 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 彭燕;胡秀飞;王希玮;徐现刚 |
| 主分类号 | C30B29/04 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本申请提供了一种金刚石在碳化硅衬底上成核密度周期性调制方法，通过在碳化硅衬底的碳面或硅面上制备凹槽。将制备有凹槽的碳化硅衬底放置在CVD设备的生长腔内，通入反应气体和辅助气体进行金刚石颗粒的生长，最后，生长至预设时间后，将所述碳化硅衬底从所述生长腔内取出，观察所述凹槽的底部、侧壁以及外部的金刚石颗粒形貌和成核密度。基于在金刚石颗粒生长过程中，处于凹槽不同的位置接触到等离子体有差异，使得凹槽不同位置的金刚石颗粒成核密度的差异，进而实现金刚石颗粒在碳化硅衬底上成核密度周期性调制。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
