| 专利号 | 2023114614703 | 申请日 | 2023-11-06 | 专利名称 | 基于二硒化钯二硒化钨异质结的光探测器的制备方法 |
| 授权日 | 2024-06-11 | 专利权人 | 济南大学 | 发明人 | 逄金波;侯崇洋;秦燕;王凤雪;刘瑞;周伟家;刘宏 |
| 主分类号 | H01L31/18 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了基于二硒化钯二硒化钨异质结的光探测器的制备方法，具体涉及光探测器技术领域，该制备方法的步骤包括：采用Si/SiO2作为材料生长的衬底并处理衬底，在Si/SiO2衬底上制备Pd薄膜，对得到的Pd薄膜进行硒化处理制备PdSe2薄膜，将Si/SiO2衬底用WO2.9溶液预埋，再进行硒化处理，制备大晶畴的WSe2，将制备的WSe2利用旋涂PMMA辅助法从Si/SiO2衬底上剥离。本发明将构建基于PdSe2/WSe2垂直范德华异质结器件的光电响应时间与本征PdSe2器件进行比较，响应速度得到极大提升，且在光电探测应用上具有优良特性。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新能源产业 太阳能产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
