| 专利号 | 2021115582908 | 申请日 | 2021-12-20 | 专利名称 | 提高InAlN/GaN高电子迁移率晶体管电学性能的方法 |
| 授权日 | 2024-02-02 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 崔鹏;陈思衡;林兆军;韩吉胜;徐现刚 |
| 主分类号 | H01L21/335 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及提高InAlN/GaN高电子迁移率晶体管电学性能的方法，该方法在不改变器件结构和材料组分的情况下，通过使用双(三氟甲烷)磺酰亚胺对已经制备完成的InAlN/GaN高电子迁移率晶体管进行表面处理，即在空气环境下将InAlN/GaN高电子迁移率晶体管置于特定浓度的TFSI溶液中浸泡一定的时间，溶液中的氢离子会中和InAlN势垒层中的部分极化电荷，降低极化库仑场散射，从而提高InAlN/GaN高电子迁移率晶体管二维电子气迁移率及器件性能。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
