| 专利号 | 2023114537849 | 申请日 | 2023-11-03 | 专利名称 | 碳化硅混合3C-SiC接触PN结肖特基二极管及制备方法 |
| 授权日 | 2024-03-01 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 汉多科·林纳威赫;韩吉胜;崔鹏;徐现刚 |
| 主分类号 | H01L29/872 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种碳化硅混合3C‑SiC接触PN结肖特基二极管及制备方法，属于半导体器件领域，第一金属化层和第二金属化层之间依次包括第一半导体衬底、半导体缓冲外延层、第一半导体外延层、第二半导体外延层和第三半导体接触层；穿透接触层和第二半导体外延层与第一半导体外延层相接处设置有凹槽区，凹槽为平滑曲率凹槽或带圆角的凹槽；凹槽区底部形成第一金属化层的肖特基区，通过金属势垒与暴露的第一半导体外延层形成肖特基接触，并被第一金属化层形成的欧姆接触将PN结区横向分离；第二金属化层通过硅化金属与第一导电类型的第一半导体衬底欧姆连接。本发明工艺简单，且能够使足够的少子注入N型漂移区并且产生更有效的电荷积累。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
